功率半導體全景分析...

SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來新出現的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經過多個加工工藝制成晶圓......

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Yole＆PCIM：功率半導體革命——變革與趨勢...

為什么SiC器件還沒能取代IGBT？...

新基建時代，碳化硅在六大領域的典型應用...

IGBT如何選擇，你真的了解嗎？...